| 产品特性：精度高 | 加工定制：是 | 种类：化合物半导体 |
| 品牌：华诺激光 | 型号：CN2311183479 | 特性：边缘整齐无崩边 |
| 用途：切割 划片 打孔 刻槽 改小 | 切割材质：硅片、晶圆、 铌酸锂晶片 | 加工精度：±10μm |
| 加工厚度：0.1-2.5mm | 加工幅面：350*300mm | 加工地址：北京、天津 |
| 服务范围：全国 |
传统硅片切割方式是机械切割，速度慢、断面平整性差、碎片多、不环保。硅是一种脆性材料，机械切割极易使边缘产生破裂，造成硅表面弹性应变区、位错网络区和碎晶区的组成层损伤，甚至可能造成隐形裂纹，影响电性参数等危害。激光切割技术具有无接触、无机械应力、切缝宽度小、断面平整光滑、精度高、速度快、性能稳定等优势；不会损伤硅片结构，电性参数要优于传统的机械切割方式，可应用于大面积电池片进行划线切割，做到***控制切割精度及厚度，进一步减少切割碎屑，提高电池利用率。
